[发明专利]消影增透导电玻璃在审

专利信息
申请号: 201611188163.2 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN106587655A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 彭寿;李刚;杨勇;姚婷婷;金克武 申请(专利权)人: 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;G06F3/041
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开消影增透导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层,ITO膜层蚀刻有电极图案;玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层;所述上TiO2膜层的厚度为5~10nm、上SiO2膜层的厚度为40~60nm、ITO膜层的厚度为20~40nm;所述第一下TiO2膜层的厚度为12~18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25~35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95~135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70~100nm;利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用,玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果,并由各膜层厚度的配合,提高产品的透过率,减少反射率,降低面电阻,使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示。
搜索关键词: 消影增透 导电 玻璃
【主权项】:
消影增透导电玻璃,其特征在于,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层,ITO膜层蚀刻有电极图案;玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层;所述上TiO2膜层的厚度为5~10nm、上SiO2膜层的厚度为40~60nm、ITO膜层的厚度为20~40nm;所述第一下TiO2膜层的厚度为12~18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25~35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95~135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70~100nm。
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