[发明专利]GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611188522.4 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106653866A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;康海燕;刘洋;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉;王禹 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该方法包括选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层GaAs的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成GaAs基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能GaAs基固态等离子体PiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 固态 等离子体 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基固态等离子体PiN二极管的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，在所述GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述衬底的顶层GaAs的厚度；(c)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；(d)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；以及(e)在所述衬底上形成引线，以完成所述GaAs基固态等离子体PiN二极管的制备。
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