[发明专利]应用于套筒天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种应用于套筒天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成异质Ge基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子pin二极管。

主权项

一种应用于套筒天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述套筒天线包括：半导体基片(1)、pin二极管天线臂(2)、第一pin二极管套筒(3)、第二pin二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述pin二极管天线臂(2)、所述第一pin二极管套筒(3)、所述第二pin二极管套筒(4)及所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)均制作于所述半导体基片(1)上；所述pin二极管天线臂(2)与所述第一pin二极管套筒(3)及所述第二pin二极管套筒(4)通过所述同轴馈线(5)连接，所述同轴馈线(5)的内芯线(7)连接所述pin二极管天线臂(2)且所述同轴馈线(5)的外导体(8)连接所述第一pin二极管套筒(3)及所述第二pin二极管套筒(4)，所述Ge基等离子pin二极管用于制作固态等离子天线；所述制备方法包括步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，在所述GeOI衬底表面形成第一保护层；(b)利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；(c)利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(d)填充所述隔离槽以形成所述Ge基等离子pin二极管的所述隔离区；(e)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(f)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(g)在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基等离子pin二极管的制备。