[发明专利]AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611188557.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783604B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王斌;陶春阳;阎毅强;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;舒斌;康海燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | alas ge 结构 固态 等离子体 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；(c)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并对所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；以及(d)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管的制备。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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