[发明专利]一种大功率LED灯珠的制备方法在审
申请号: | 201611190438.6 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106784262A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 曹鹏军;刘扬;任岳;方颜颖;刘通;杨盛华 | 申请(专利权)人: | 重庆中鼎三正科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/64;B82Y30/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人: | 马碧娜 |
地址: | 400000 重庆市九龙坡区石桥铺石杨路*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种大功率LED灯珠的制备方法,其步骤为在LED芯片表面涂覆灌封胶,在灌封胶内掺入纳米荧光粉,纳米荧光粉激发波长与芯片发射波长相匹配,将芯片装置于铝基复合材料基板上,在350mA的恒定电流驱动下,获得150~155lm的发光通量,发光效率达128~133lm/W,显色指数Ra为90~95的白光LED灯珠。本发明与现有技术相比,具有多种优点,比如提高LED出光效率,改善了光色质量。本发明提出了一种大功率LED灯珠的制备方法,使用新型工艺和复合材料,提高散热性能,降低光散射,提高LED出光效率并能有效改善光色质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 大功率 led 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大功率LED灯珠的制备方法,其特征在于,在LED芯片表面涂覆灌封胶,在灌封胶内掺入纳米荧光粉,纳米荧光粉激发波长与芯片发射波长相匹配,将芯片装置于基板上,在350mA的恒定电流驱动下,获得150~155lm的发光通量,发光效率达128~133lm/W,显色指数Ra为90~95的白光LED灯珠。
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