[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611190809.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106653860A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;熊红莲;陈国杰 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 周修文 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤在基板制作第一导电薄膜，并对所述第一导电薄膜图形化处理制备栅极；在基板上制作电介质薄膜，并对所述电介质薄膜图形化处理制备栅极绝缘层；在基板上制作LaBX薄膜，并对所述LaBX薄膜图形化处理制备有源层，其中x的取值范围为1.5≤x≤5.5；在基板上制作第二导电薄膜，并对所述第二导电薄膜图形化处理制备源极和漏极。本发明所述有源层为LaBX薄膜，其原材料价格低廉，极大地降低了材料成本。并且LaBX具有高熔点、耐离子轰击、抗氧化、导热、导电、化学稳定性极好的优点。因此，基于该材料作为有源层的薄膜晶体管具有稳定性好、成本低廉的优点，有应用于工业生产的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板制作第一导电薄膜，并对所述第一导电薄膜图形化处理制备栅极；在基板上制作电介质薄膜，并对所述电介质薄膜图形化处理制备栅极绝缘层；在基板上制作LaBX薄膜，并对所述LaBX薄膜图形化处理制备有源层，其中x的取值范围为：1.5≤x≤5.5；在基板上制作第二导电薄膜，并对所述第二导电薄膜图形化处理制备源极和漏极。
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