[发明专利]一种多晶硅锭的开方装置和方法有效
申请号: | 201611190986.9 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106738396B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 李林东;汪沛渊;欧子杨;罗丁;陈伟;肖贵云;胡颖;王海涛;金浩 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本申请公开了一种多晶硅锭的开方装置和方法,该装置包括相互平行的多条切割线,其中位于最外侧的边皮切割线用于切出边皮,在所述边皮切割线的外侧还设置有至少一条对所述边皮进行细分的附加切割线,用于将靠近坩埚面的边皮与靠近中心硅锭的边皮分离出来。本申请提供的上述多晶硅锭的开方装置和方法,将边皮料分为两部分,靠近坩埚面的边皮,杂质含量较高,后续将其回炉提纯后再铸锭,而靠中心硅锭区的边皮则可以直接通过清洗后循环使用,能够减少靠近坩埚面的边皮的打磨,减少硅料中的杂质,提高铸锭质量,避免杂质去除不完全和粉尘状硅料的损耗问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 开方 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅锭的开方装置,包括相互平行的多条切割线,其中位于最外侧的边皮切割线用于切出边皮,其特征在于,在所述边皮切割线的外侧还设置有至少一条对所述边皮进行细分的附加切割线,用于将靠近坩埚面的边皮与靠近中心硅锭的边皮分离出来;所述附加切割线的数量为一条;所述附加切割线与硅锭边缘之间的水平方向上的距离为5毫米至10毫米;所述边皮切割线与所述硅锭边缘之间的水平方向上的距离为15毫米至40毫米。
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