[发明专利]基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置

摘要

本发明提供了一种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，该方法包括以下步骤在半导体金刚石外延生长初期，通过MPCVD制备半导体金刚石外延薄膜；通过MPCVD制备半导体金刚石掺杂层；根据掺杂层的掺杂原子种类及其与氢原子形成的饱和化学键的键能，选择相应波长的飞秒激光，于反应腔中通过所述飞秒激光打断掺杂层中掺杂原子与氢原子形成的饱和化学键。本发明提供的这种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，通过特定波长的飞秒激光作用在半导体金刚石薄膜中，打断掺杂原子与氢原子之间的饱和化学键，激活掺杂原子，从而提高掺杂层中有效载流子浓度。

主权项

一种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在半导体金刚石外延生长初期，通过MPCVD制备半导体金刚石外延薄膜；S2、通过MPCVD制备半导体金刚石掺杂层；S3、根据掺杂层的掺杂原子种类及其与氢原子形成的饱和化学键的键能，选择相应波长的飞秒激光，于反应腔中通过所述飞秒激光打断掺杂层中掺杂原子与氢原子形成的饱和化学键。