[发明专利]氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201611191522.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106601591B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 唐利斌;姬荣斌;项金钟;张倩 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C01B32/184 |
| 代理公司： | 53114 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人： | 施建辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 650000 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法。本发明的氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法，其特征在于该制备方法采用乙二醇和盐酸按一定摩尔比反应生成后的溶液经旋涂退火后一次性生成氯掺杂石墨烯薄膜，包括液相化学反应、旋涂和退火三个步骤。本发明的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，通过氯掺杂的方式，调制了石墨烯薄膜的能级，有效地改变了石墨烯薄膜的性能，从而使本发明制备得的氯掺杂石墨烯薄膜具有更优良的光电及发光调制性能，可用于光电探测器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 多层 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法，其特征在于该制备方法采用乙二醇和盐酸按一定摩尔比反应生成后的溶液经旋涂退火后一次性生成氯掺杂石墨烯薄膜，包括液相化学反应、旋涂和退火三个步骤，具体如下：/n1）液相化学反应：取30ml乙二醇和9ml盐酸，置于100ml烧杯中，用机械搅拌器搅拌同时在加热板上加热，设置加热板温度为200℃，直至混合均匀的溶液变为金黄色且不再继续变色为止，保留均匀棕色清液装于棕色样品瓶中留待备用；/n2）旋涂：将步骤1）中掺氯的石墨烯前驱体配成0.5g/ml的溶液用一次性滴管取适量滴在处理过的石英片上，将其在转速设置为1000～2000/min 的匀胶机上进行旋涂；/n3）退火：将旋涂在石英片衬底上的薄膜置于80℃下烘烤20min，然后在650℃下退火3小时，即可得到氯掺杂多层石墨烯薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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