[发明专利]三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法有效
| 申请号： | 201611191662.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106596226B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法，所述芯片上包含失效地址、第一参考点和第二参考点；在所述芯片标上覆盖所述第一参考点的第一记号和覆盖所述第二参考点的第二记号；先研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；再对所述芯片进行平面样品制备，根据电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。在使用透射电镜对制备出的样品进行观测时，从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 mos 存储 芯片 样品 制备 方法 观测 | ||
【主权项】：
1.一种三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供电子束装置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一参考点和第二参考点，所述第一参考点与所述失效地址在同一铅锤线上，所述第二参考点与所述失效地址在同一水平线上；在所述芯片标上第一记号和第二记号，所述第一记号覆盖所述第一参考点，所述第二记号覆盖所述第二参考点；研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处，包括：在所述芯片标上第三记号、第四记号和第五记号，所述第三记号和所述第四记号在同一水平线，所述第四记号和所述第五记号在同一铅锤线；将所述第一边侧面手动研磨至所述第三记号和所述第四记号处，将所述第二边侧面手动研磨至所述第四记号和所述第五记号处；再使用聚焦离子束将所述第一边侧面研磨至所述第一记号处、使用聚焦离子束将所述第二边侧面研磨至所述第二记号处；对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。
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