[发明专利]一种磁性随机存储器底电极接触及其制备方法有效
| 申请号： | 201611191863.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232008B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/02 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性随机存储器底电极接触及其制备方法，采用在金属连线上制作底电极接触的方法来代替铜通孔，底电极接触材料采用的是非铜金属。包括以下步骤：步骤一：将带金属连线的基底表面抛光，并在基底上依次形成刻蚀阻止层和电介质层；步骤二：在电介质层上图形化定义底电极接触图案，刻蚀形成底电极接触孔；步骤三：用底电极接触材料填充底电极接触孔并磨平，直到部分电介质层被消耗掉，至此形成底电极接触。由于磁性隧道结及其底电极在表面抛光的底电极接触上进行制作，这样就有效的避免了由于在铜通孔直接制作磁性隧道结，所带来的铜污染和铜扩散，非常有利于磁性随机存储器回路电学性能的优化提高和器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 电极 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器底电极接触的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将带金属连线的基底表面抛光，并在所述基底上依次形成底电极接触刻蚀阻止层和底电极接触电介质层；步骤二：在所述底电极接触电介质层上图形化定义底电极接触图案，刻蚀形成底电极接触孔；步骤三：用底电极接触材料填充所述底电极接触孔并磨平，直到部分所述底电极接触电介质层被消耗掉，至此形成所述底电极接触。
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