[发明专利]DRAM电容器的下部电极及其制造方法有效
| 申请号： | 201611191916.5 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106952894B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。 | ||
| 搜索关键词： | dram 电容器 下部 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM电容器，其特征在于：/n包含电介体膜和由TiN系材料构成的下部电极，/n所述下部电极具备：/n以成为所述下部电极的表面区域的方式设置在两个外侧的氧浓度相对低的第一TiON膜；和/n设置在所述第一TiON膜的内侧的氧浓度相对高的第二TiON膜，/n所述电介体膜形成在所述下部电极的表面。/n
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