[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

一种制造半导体装置的方法，包含第一栅极结构设置于基板上。第一栅极结构包含第一栅电极、第一覆盖绝缘层设置于第一栅电极上，以及第一侧壁间隔物设置于第一栅电极和第一覆盖绝缘层的侧表面上。半导体装置还包含第一保护层形成于第一覆盖绝缘层和至少一个第一侧壁间隔物之上。第一保护层包含由氮氧化铝(AlON)，氮化铝(AlN)及非晶硅所组成的群组中选择其中至少一种。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：形成一第一栅极结构及一第二栅极结构于一基板上，该第一栅极结构包含一第一栅电极，一第一覆盖绝缘层设置于该第一栅电极上，以及一第一侧壁间隔物设置于该第一栅电极以及该第一覆盖绝缘层的侧表面上，该第二栅极结构包含一第二栅电极，一第二覆盖绝缘层设置于该第二栅电极上，以及一第二侧壁间隔物设置于该第二栅电极以及该第二覆盖绝缘层的侧表面上；形成一第一源极/漏极区于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的一区域内；形成一第一绝缘层于该第一源极/漏极区上以及该第一栅极结构及该第二栅极结构之间；形成该第一绝缘层后，使该第一覆盖绝缘层及该第二覆盖绝缘层凹陷，以及使该第一侧壁间隔物及该第二侧壁间隔物凹陷，从而形成一第一隔间于该凹陷的第一覆盖绝缘层及该凹陷的第一侧壁间隔物上，以及一第二隔间于该凹陷的第二覆盖绝缘层及该凹陷的第二侧壁间隔物上；以及形成一第一保护层于该第一隔间中，及一第二保护层于该第二隔间中，其中该第一保护层及该第二保护层包含从以过渡金属氮化物为基底的材料及非晶硅的组成中选择至少一种。