[发明专利]一种氧气气体团簇离子束制备磁性隧道结阵列的方法在审
申请号: | 201611192673.7 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN108231821A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张云森 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种氧气气体团簇离子束制备磁性隧道结阵列的方法,在羰基类有机物气体的气氛下,采用氧气气体团簇离子束辐照对磁性隧道结进行刻蚀,在此过程中,经历了氧化、吸附、反应、解吸附等一系列反复循环过程,由于单个氧气原子/分子的能量很低,这样将不会产生物理损伤和再次沉积。同时,由于采用了SiO2、SiON、SiN、SiC或SiCN等作为刻蚀的硬掩模,在羰基类有机物气体的气氛下的氧气气体团簇离子束对硬掩模的刻蚀速率将会很低,这样就实现了选择性刻蚀,保护了顶电极。 | ||
搜索关键词: | 氧气气体 团簇 磁性隧道结 离子束 刻蚀 有机物气体 硬掩模 羰基 制备 离子束辐照 选择性刻蚀 反复循环 物理损伤 顶电极 解吸附 吸附 沉积 氧气 | ||
【主权项】:
1.一种制备磁性隧道结阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:提供CMOS基底,在所述基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜、顶电极和掩模层;步骤二:图形化定义磁性隧道结图案,并且转移所述图案到所述磁性隧道结多层膜的顶部;步骤三:采用氧气气体团簇离子束刻蚀所述磁性隧道结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的