[发明专利]闪存接口控制器及操作命令处理方法有效
| 申请号： | 201611193064.3 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108228493B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李由;黄锐;王暹辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市海思半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F13/18;G06F9/22;G06F9/54 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 罗振安<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518129 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种Flash接口控制器及操作命令处理方法，涉及数据存储领域。Flash接口控制器中引入了可编程的第一类微码和第二类微码，可以通过编程修改第一类微码以适应新的协议对操作命令的解析流程，可以通过编程修改第二类微码以适应Flash接口的新标准所要求的Flash总线操作，Flash接口控制器中的各个物理模块仅需要固化好逻辑，并读取与操作命令相关的第一类微码和第二类微码，即可实现对操作命令的解析，因此可以适应各种协议以及Flash接口标准，灵活性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 微码 操作命令 控制器 编程 解析 数据存储领域 读取 闪存接口 物理模块 可编程 新标准 与操作 固化 引入 | ||
【主权项】：
1.一种闪存Flash接口控制器，其特征在于，所述闪存Flash接口控制器包括：通道管理模块、通道、命令缓存管理模块、数据缓存管理模块、非线性Nand适配存储NCS记忆存储模块和可编程时序发生器PTG记忆存储模块，所述通道包括晶片Die并行调度DCS模块、Flash访问代理FAA模块、PTG模块和物理层接口模块，其中：/n所述通道管理模块用于根据接收到的操作命令中的通道号，将所述操作命令分配至所述通道号对应的通道；/n所述通道中的DCS模块用于将接收到的操作命令存储至所述命令缓存管理模块中，将从接收到的各个操作命令中调度的操作命令发送至所述FAA模块；/n所述FAA模块用于在接收到所述操作命令后，从所述命令缓存管理模块中获取所述操作命令的命令参数，根据所述命令参数指向的Nand适配存储NCS记忆位置，读取所述NCS记忆存储模块中从所述NCS记忆位置起的第一类微码进行执行，将执行所述第一类微码后得到的索引命令发送至所述PTG模块；/n所述PTG模块用于从所述PTG记忆存储模块中所述索引命令对应的位置读取第二类微码进行执行，将执行所述第二类微码后得到的Flash总线操作发送给所述物理层接口模块；/n所述物理层接口模块用于将所述Flash总线操作发送至Flash总线。/n
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