[发明专利]一种分段多阶补偿的高精度电压及电流基准电路有效
申请号: | 201611193070.9 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106708150B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 李卓;岳素格;莫艳图;时飞;杨学硕 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 范晓毅 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种分段多阶补偿的高精度电压及电流基准电路,该基准电路用于产生稳定基准电压及电流,为内部其他模块提供电压及电流偏置。本发明中的基准电路是一种片上电路,包括基础带隙电路、低温一阶负温度系数补偿电路、高温高阶正温度系数补偿电路、稳压修调电路、修调逻辑电路。通过对基础带隙电压进行分段多阶补偿,该基准电路具有较高的温度稳定性,在较大温度范围内输出偏差较小。通过修调电路的设计,可对工艺偏差造成的输出偏移进行调整,进一步保证了输出电压的精度。本发明基准电路结构简单、精度高,适用于各种模拟集成电路。 | ||
搜索关键词: | 基准电路 多阶 分段 电流基准电路 电路 精度电压 基础带 负温度系数补偿电路 模拟集成电路 稳定基准电压 温度稳定性 正温度系数 补偿电路 电流偏置 工艺偏差 模块提供 片上电路 输出电压 输出偏差 输出偏移 高阶 稳压 一阶 保证 | ||
【主权项】:
1.一种分段多阶补偿的高精度电压及电流基准电路,其特征在于:包括基础带隙电路(101)、低温负温度系数一阶补偿电路(102)、高温正温度系数高阶补偿电路(103)和稳压修调电路(104),其中:基础带隙电路(101):生成初级带隙电压;接收低温负温度系数一阶补偿电路(102)发送的具有负温度系数的补偿电流和高温正温度系数高阶补偿电路(103)发送的具有正温度系数的补偿电流;采用所述具有负温度系数的补偿电流对生成的初级带隙电压进行低温补偿,得到补偿后的带隙电压,发送给稳压修调电路(104);采用所述具有正温度系数的补偿电流对生成的初级带隙电压进行高温补偿,得到补偿后的带隙电压,发送给稳压修调电路(104);低温负温度系数一阶补偿电路(102):在低温度区域内产生具有负温度系数的补偿电流,发送给基础带隙电路(101);高温正温度系数高阶补偿电路(103):在高温度区域内产生具有正温度系数的补偿电流,发送给基础带隙电路(101);稳压修调电路(104):接收基础带隙电路(101)发送的补偿后的带隙电压,进行稳压后,输出偏置电压和偏置电流;所述低温负温度系数一阶补偿电路(102)包括晶体管M18、晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21、晶体管M22、三极管Q4和电阻R3,其中晶体管M19栅端、晶体管M20栅端同时与基础带隙电路(101)的晶体管M6栅端和晶体管M7栅端相连,晶体管M21栅端、晶体管M22栅端与基础带隙电路(101)的晶体管M8栅端和晶体管M9栅端相连,晶体管M19、晶体管M20的源端均与电源相连,晶体管M19漏端与晶体管M21的源端相连接,晶体管M21漏端与晶体管M18的漏端连接,晶体管M18栅端连接至晶体管M22漏端,晶体管M18源端输出高温度端补偿电流I_HC,晶体管M20漏端与晶体管M22源端连接,晶体管M22漏端同时连接至晶体管M18的栅端及电阻R3一端,电阻R3的另一端连接至三极管Q4的发射极,三极管Q4栅极及集电极均连接至地。
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