[发明专利]一种轻离子溅射刻蚀制备磁性隧道结的方法在审
| 申请号： | 201611193599.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232004A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L21/306;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种轻离子溅射刻蚀制备磁性隧道结的方法，采用低原子序数的正离子，具体来说，是指低于Ar+相对原子量39.948emu的正离子，比如：采用HX+(X＝1～3)、He+或者Ne+等，对磁性隧道结多层膜进行物理溅射刻蚀。本发明使得组成磁性隧道结的多层材料对刻蚀硬掩模材料具有较高的选择比，这样可以把刻蚀硬掩模做得相对较薄，同时可以采用低刻蚀功率，可以减少物理刻蚀损伤和侧壁导电覆盖物等问题，可以减少化学刻蚀损伤和刻蚀速率过慢等问题。有利于MRAM回路磁学性能、电学性能的改善和良率的提升，有利于磁性隧道结的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性隧道结 溅射刻蚀 刻蚀 轻离子 正离子 制备 导电覆盖物 低原子序数 硬掩模材料 磁学性能 电学性能 多层材料 化学刻蚀 刻蚀功率 刻蚀损伤 多层膜 选择比 硬掩模 原子量 侧壁 良率 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性隧道结的方法，其特征在于，采用相对原子量低于Ar+的正离子对磁性隧道结多层膜进行物理溅射刻蚀。
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