[发明专利]一种气体团簇离子束平坦化磁性隧道结底电极的方法有效
| 申请号： | 201611193626.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232010B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种气体团簇离子束平坦化磁性隧道结底电极的方法，采用气体团簇离子束对磁性隧道结底电极进行平坦化，使底电极的平均表面粗糙度达到沉积磁性隧道结薄膜的要求。由于低能气体团簇离子束的横向溅射效应，能够有效的消除局部表面不平整，通过改变入射剂量，辐照角度和/或添加有机醇、酸或醛等以获得最佳的表面粗糙度，提升了磁性隧道结的成膜质量和磁性/电学性能，有利于MRAM回路良率的提升；由于GCIB可以和PVD可以集成到一个系统中，降低工艺的复杂性，同时，避免了由于添加CMP及其后清洗工艺而带来的污染，非常适合MRAM的大规划生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 离子束 平坦 磁性 隧道 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平坦化磁性隧道结底电极的方法，其特征在于，采用气体团簇离子束对磁性隧道结底电极进行平坦化，使所述底电极的平均表面粗糙度达到沉积磁性隧道结薄膜的要求。
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