[发明专利]碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法有效

专利信息
申请号: 201611195004.5 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106611842B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 吴仙斌;张华;朱丽萍;李富营;苗荣荣;曾冬青;孙文婷 申请(专利权)人: 上海杉杉科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) 31288 代理人: 刘君
地址: 200233 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及碳素类材料改性技术领域,具体地说是碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、原料准备:以组成电解液的有机溶剂组分作为反应体系溶剂;以碳素类储能材料作为改性材料;(2)、原料混合;(3)、加热反应;(4)、离心分离;(5)、清洁;(6)、干燥。本发明与现有技术相比,工艺简单,且采用低温溶剂热反应进行表面预沉积类SEI膜修饰改性,工艺条件温和、简单,重现性好;能够在各类碳素类材料表面完整、均匀沉积一层致密的类SEI膜组分,能够降低碳素类材料与电解液的直接接触,减少SEI膜的生成,有效提升材料的首次效率、循环性能与高温存储性能。
搜索关键词: 碳素 材料 表面 sei 预先 沉积 修饰 改性 方法
【主权项】:
一种碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、原料准备:以组成电解液的有机溶剂组分作为反应体系溶剂;以碳素类储能材料作为改性材料;所述的组成电解液的有机溶剂组分为碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯或碳酸甲乙酯中的任意一种或者任意几种的组合作为反应体系溶剂;所述碳素类储能材料包括石墨烯、人造石墨、天然石墨、中间相碳微球、炭黑导电剂中的任意一种;(2)、原料混合:将改性材料与反应体系溶剂混合均匀,并放入反应釜中准备反应;改性材料与反应体系溶剂体积比为1∶1~1∶2;(3)、加热反应:将反应釜密封,加热升温进行反应,反应温度80‑200℃,反应时间30‑120min;(4)、离心分离:将加热反应后得到的反应物,进行离心分离,分离出的固相物质即为改性修饰后产物;(5)、清洁:分离出的改性修饰后产物再采用易挥发的有机溶剂进行洗涤,洗去表面残留的溶剂,所述的易挥发的有机溶剂为无水乙醇、四氯化碳、丙酮;(6)、干燥:干燥后得到改性材料最终产物。
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