[发明专利]一种硅-氮化硅-碳复合材料及制备方法及应用方法有效
申请号: | 201611195176.2 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106532010B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 沈龙;马飞;李虹;吴志红;葛传长 | 申请(专利权)人: | 上海杉杉科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/134;H01M4/136;H01M4/133;H01M10/0525 |
代理公司: | 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) 31288 | 代理人: | 刘君 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及锂离子二次电池材料技术领域,具体地说是一种硅‑氮化硅‑碳复合材料及制备方法及应用方法,其特征在于,复合材料的结构组成中包括球形纳米硅、氮化硅纳米线及石墨烯包覆层,所述的氮化硅纳米线原位生长在球形纳米硅颗粒的表面,氮化硅纳米线外再修饰石墨烯包覆层,结构组成中的重量百分比为;球形纳米硅40~70%;氮化硅20~40%;石墨烯10~20%。本发明与现有技术相比,硅‑氮化硅‑碳‑复合材料对于提高锂二次电池的能量密度具有关键性的作用;硅‑氮化硅‑碳复合材料通过与石墨复合,具有较高的首次效率、较好的循环性能,0.1C循环500周容量保持率80%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种硅‑氮化硅‑碳复合材料,其特征在于,复合材料的结构组成中包括球形纳米硅、氮化硅纳米线及石墨烯包覆层,所述的氮化硅纳米线原位生长在球形纳米硅颗粒的表面,氮化硅纳米线外再修饰石墨烯包覆层,结构组成中的重量百分比为:球形纳米硅 40~70%;氮化硅 20~40%;石墨烯 10~20%。
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