[发明专利]一种多孔基板及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201611195243.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106711049B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 唐凡 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、将填充材料填充至多孔基板的孔洞中，获得承载基板；S2、在承载基板上制备柔性膜层；S3、去除填充材料；S4、在柔性膜层上制备有机发光二极管；S5、去除多孔基板，获得薄膜晶体管。根据本发明的薄膜晶体管的制作方法，基于一种具有微孔结构的多孔基板，由于微孔的存在，在OLED制备过程中产生的气泡可以得到释放，避免气泡对Array制程中光照影响和蒸镀金属掩膜版的损坏；同时免除了激光照射去除牺牲层的步骤以及传统制作方法中的加热步骤。本发明还公开了上述制作方法所使用的多孔基板及其制作方法，该多孔基板在使用后并无损伤，可以重复利用，减少污染与浪费，降低薄膜晶体管的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 及其 制作方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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