[发明专利]一种用于硅电极腐蚀的方法在审
| 申请号： | 201611195295.8 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231572A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 朱秦发;库黎明;夏青;蔡明;闫志瑞;李磊 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅电极腐蚀的方法。该方法包括以下步骤：(1)将硅电极在HF酸溶液中浸泡清洗，然后超声清洗导气孔残留的酸液和杂质；(2)将硅电极置于烘箱中通过热风将导气孔中残留的水分蒸发干净，将硅电极冷却到室温后，安装在腐蚀工装内；(3)将腐蚀工装置于腐蚀液中对硅电极进行腐蚀，通过调整腐蚀液的浓度和温度来确定腐蚀速率；通过调整腐蚀工装的转速和腐蚀时间，来达到目标设定的腐蚀去除量；(4)将腐蚀后的硅电极置于去离子水中浸泡并旋转硅电极，然后进行喷淋清洗；再经超声去除硅电极表面和导气孔中残留的酸液。采用本发明的方法可以大大改善硅电极表面平面度和表面形貌及不同位置导气孔直径的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅电极 腐蚀 导气孔 工装 残留 腐蚀液 酸液 去除 表面平面度 烘箱 表面形貌 超声清洗 浸泡清洗 目标设定 喷淋清洗 水分蒸发 水中浸泡 均匀性 酸溶液 超声 热风 离子 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅电极腐蚀的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将硅电极在HF酸溶液中浸泡清洗，然后超声清洗导气孔残留的酸液和杂质；(2)将硅电极置于烘箱中通过热风将导气孔中残留的水分蒸发干净，将硅电极冷却到室温后，安装在腐蚀工装内；(3)将腐蚀工装置于腐蚀液中对硅电极进行腐蚀，通过调整腐蚀液的浓度和温度来确定腐蚀速率；通过调整腐蚀工装的转速和腐蚀时间，来达到目标设定的腐蚀去除量；(4)将腐蚀后的硅电极置于去离子水中浸泡并旋转硅电极，然后进行喷淋清洗；再经超声去除硅电极表面和导气孔中残留的酸液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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