[发明专利]一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料在审
| 申请号： | 201611195702.5 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106548867A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘佳翔;陈喆 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/012;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 | 代理人： | 夏静洁 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种低直流电阻三端电容器，包括长轴介质膜片和短轴介质膜片；长轴介质膜片和短轴介质膜片交错形成内电极排列结构；内电极排列结构由两个第一长轴方向内电极和两个第一短轴方向内电极交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极和一个第二短轴方向内电极交错排列组成或由两个第二长轴方向内电极和两个第二短轴方向内电极交错排列组成。本发明实施例提供的低直流电阻三端电容器，与现有技术相比通过改变长轴介质膜片和短轴介质膜片的排解形式及厚度使电容器的直流电阻有较大幅度的下降，并且一致性优于常规产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 电阻 电容器 制备 方法 材料 | ||
【主权项】：
一种低直流电阻三端电容器，其特征在于，包括：长轴介质膜片和短轴介质膜片；所述长轴介质膜片和所述短轴介质膜片交错形成内电极排列结构；所述内电极排列结构由两个第一长轴方向内电极和两个第一短轴方向内电极交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极和一个第二短轴方向内电极交错排列组成或由两个第二所述长轴方向内电极和两个第二所述短轴方向内电极交错排列组成。
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