[发明专利]多晶硅薄膜处理方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201611197230.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106783582B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王威;梁博 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L29/786 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的处理方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，该方法包括：在基板上形成表面粗糙的多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜的表面形成保护层；对形成保护层的表面粗糙的多晶硅薄膜进行表面化处理，进而形成表面平整的多晶硅薄膜。通过这种方法，能够形成表面平整的多晶硅薄膜，进而使得对应的阵列基板及显示面板避免了因为粗糙的多晶硅薄膜造成的尖端放电现象，产生较大的漏电流，提高了产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 处理 方法 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n在基板上依次沉积缓冲层及非晶硅层，所述缓冲层包括是先沉积氮化硅层再沉积二氧化硅层的双层结构；/n在基板上形成表面粗糙的多晶硅薄膜；/n在所述多晶硅薄膜的表面采用包括但不限于狭缝式涂布、旋转涂抹法及喷墨涂布的方法形成保护层，其中所述保护层的材料为聚酰亚胺；/n对形成所述保护层的表面粗糙的多晶硅薄膜进行表面化处理，进而形成表面平整的多晶硅薄膜，其中，所述表面化处理包括：/n对形成所述保护层的表面粗糙的多晶硅薄膜进行氧气等离子体处理；/n去除氧气等离子体处理后的所述保护层；/n采用氢氟酸对去除所述保护层的表面粗糙的多晶硅层进行刻蚀，进而形成表面平整的多晶硅薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611197230.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属化学机械抛光的方法
- 下一篇：一种优化低功耗产品漏电流的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
