[发明专利]介电结构与其制作方法和存储器结构

摘要

本发明公开一种介电结构以及其制作方法和存储器结构。介电结构包括介电层以及设置于介电层中的多个结晶粒。介电层包括第一高介电常数介电材料。各结晶粒包括第二高介电常数介电材料，其中各第一结晶粒具有结晶结构，使得各结晶粒的介电常数大于第一高介电常数介电材料的介电常数与20。通过退火工艺于介电层中形成结晶粒可提升介电结构的整体介电常数，并提升存储器结构存储电荷的容量。

主权项

1.一种介电结构，包括：第一介电层，包括第一高介电常数介电材料；以及多个第一结晶粒，设置于该第一介电层中，各该第一结晶粒包括第二高介电常数介电材料，其中各该第一结晶粒具有结晶结构，使得各该第一结晶粒的介电常数大于该第一高介电常数介电材料的介电常数与20。