[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构在审
| 申请号： | 201611198368.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106449748A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。本发明存在AlN插入层，且厚度可控制在0.5‑1nm，因此本发明采用AlN作为背势垒材料，生长技术成熟可靠，具备显著的实用价值；AlN禁带宽度大，为6.42eV，可在外延结构中形成高势垒，对载流子的限阈作用要明显优于仅仅是抬高导带的InGaN或AlGaN。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611198368.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管
- 下一篇：半导体元件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
