[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611198824.X | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106601822A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 谢应涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其从下至上依次包括基板、缓冲层、多晶硅层、半导体层、栅绝缘层、金属栅电极层、互联层和源漏极，源漏极依次穿过互联层和栅绝缘层与半导体层相接，其中，半导体层包括多晶硅区、经离子掺杂分别形成的源漏电极接触区和轻掺杂区，轻掺杂区位于多晶硅层和源漏电极接触区之间，源漏极与源漏电极接触区相接；栅绝缘层在高度方向上具有不同厚度而呈阶梯形，栅绝缘层的高阶梯部与轻掺杂区相对，栅绝缘层的低阶梯部与源漏电极接触区相对。本发明降低了光罩数目，实现了生产成本的降低；减少工艺流程步骤，节省工艺制程的时间，进而真正意义上实现制备低成本的低温多晶硅薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，其从下至上依次包括基板、缓冲层、半导体层、栅绝缘层、金属栅电极层、互联层和源漏极，所述源漏极依次穿过所述互联层和所述栅绝缘层与所述半导体层相接，其中，所述半导体层包括多晶硅区、经离子掺杂分别形成的源漏电极接触区和轻掺杂区，所述轻掺杂区位于所述多晶硅区和所述源漏电极接触区之间，所述源漏极与所述源漏电极接触区相接；所述栅绝缘层在高度方向上具有不同厚度而呈阶梯形，所述栅绝缘层的高阶梯部与所述轻掺杂区相对，所述栅绝缘层的低阶梯部与所述源漏电极接触区相对。
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