[发明专利]液晶显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201611199058.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106990627A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 津田祐树;今村卓司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能确保大存储电容及开口率且抑制制造成本的上升的液晶显示装置及其制造方法。液晶显示装置(91)具有栅极电极(2)、第1绝缘膜(3)、元件层(4)、第1透明电极(5)和第2透明电极(9)。第1绝缘膜(3)包含将栅极电极(2)覆盖的部分。元件层(4)直接配置于第1绝缘膜(3)之上，具有隔着第1绝缘膜(3)而与栅极电极(2)相对的沟道区域(46)，元件层(4)由透明氧化物制成。第1透明电极(5)与元件层(4)分离地直接配置于第1绝缘膜(3)之上，具有与元件层(4)相同的金属组成。第2透明电极(9)通过与第1透明电极(5)电绝缘且与第1透明电极(5)相对，从而与第1透明电极(5)一起形成存储电容。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种液晶显示装置，其具有：栅极电极；第1绝缘膜，其包含将所述栅极电极覆盖的部分；元件层，其直接配置于所述第1绝缘膜之上，具有隔着所述第1绝缘膜与所述栅极电极相对的沟道区域，该元件层由透明氧化物制成；第1透明电极，其与所述元件层分离，直接配置于所述第1绝缘膜之上，具有与所述元件层的金属组成相同的金属组成；以及第2透明电极，其通过与所述第1透明电极电绝缘、且与所述第1透明电极相对，从而与所述第1透明电极一起形成存储电容。
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