[发明专利]静电放电保护电路及静电放电保护的深次微米半导体元件

摘要

本发明公开了一种静电放电保护电路及其静电放电保护的深次微米半导体元件，该深次微米半导体元件的一漏极所对应的浓掺杂区与其相邻的淡掺杂区交界处向外推开，使其交界处与最近的一栅极绝缘层侧壁保持一间隔，而不与栅极绝缘层侧壁切齐；如此，深次微米半导体元件的漏极与源极不因深次微米工艺的较小布局规则而过近，有效提升深次微米元件的静电放电耐受力。

主权项

1.一种静电放电保护的深次微米半导体元件，其特征在于，包括一栅极结构，形成在一半导体基板上；二栅极绝缘层侧壁，分别形成在该栅极结构的二相对外侧；二淡掺杂区，分别形成在该半导体基板中，并分别位于对应的栅极绝缘层侧壁下；二浓掺杂区，分别形成在该半导体基板中，并分别位于对应淡掺杂区的外侧处；其中一漏极所对应的该浓掺杂区与其相邻的淡掺杂区之间的交界处，与最近的栅极绝缘层侧壁保持一间隔；一第一金属硅化物层，部分形成于该漏极所对应的该浓掺杂区上，供一第一接触层形成于其上；一第二金属硅化物层，形成于一源极所对应的该浓掺杂区上，供一第二接触层形成于其上；以及一第一静电放电防护掺杂区，形成于该漏极所对应的该淡掺杂区之下，且所掺杂的杂质极性与该淡掺杂区的杂质极性相异。