[发明专利]基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611199192.9 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN106856222A 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 雷威;王昕;张晓兵;李青;陈静;王保平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 张婷婷
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器及其制备方法,成本低、性能高,可用于数字X射线探测。该传感器包括1.CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底,采用变温结晶法制备,单晶具有很高的结晶质量,而且制备方法适用于大面积衬底的制备;2.位于钙钛矿晶体上方设有行电极,由对X射线吸收较少的导电材料构成;3.位于钙钛矿晶体下方设有列电极,该电极与行电极相互垂直,且由导电性能良好的金属材料构成。由于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底具有较大的厚度和较高的原子序数金属,其对X射线具有较高的光电转换效率;另外,CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底中光生载流子的复合率比较小,因此本发明的X射线传感器灵敏度较高。
搜索关键词: 基于 ch3nh2pbbr3 钙钛矿单晶 性能 射线 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器,其特征在于:包括用于光电转换的CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底(1),所述钙钛矿单晶衬底(1)上方均匀平行设置有若干行电极(2),所述钙钛矿单晶衬底(1)下方均匀平行设置有若干列电极(3),与所述行电极(2)相互垂直;所述钙钛矿单晶衬底(1)上下方分别为平行的前后盖板(5、6),所述前后盖板(5、6)的截面大于所述钙钛矿单晶衬底(1)的截面;所述前后盖板(5、6)除去所述钙钛矿单晶衬底(1)以外的外缘部分,均匀平行设置有若干引线电极(4),分别在行列方向上与所述行列电极(2、3)对应连接。
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