[发明专利]一种多晶硅片的表面制绒方法在审
| 申请号： | 201611199319.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106684174A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 汪雷;张军娜;唐勋;刘友博;蔡辉;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 忻明年 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅片的表面制绒方法，依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒，第一次腐蚀时，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀，第二次腐蚀时，将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。本发明的方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，且该制绒方法能够在金刚线切割多晶硅片表面制绒，将金刚线切割多晶硅太阳电池表面反射率最低可降至10％以下。且该制绒方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，具有很强的商业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅片的表面制绒方法，其特征在于，依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒，第一次腐蚀时，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀，第二次腐蚀时，将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
