[发明专利]蒸镀装置以及蒸镀方法有效
申请号: | 201611203536.9 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106835023B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 徐健;刘耀阳 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种蒸镀装置以及蒸镀方法,该蒸镀装置包括:海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域;海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进,使得海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场;掩膜版设置区域设置于海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。将铁磁性材料的掩模版置于本发明实施例提供的蒸镀装置内,掩膜版会受到来自海尔贝克磁铁阵列对其的吸引力。在该吸引力与重力的共同作用下掩模版几乎不发生形变,解决了现有的蒸镀装置中掩膜版因其自身重力作用造成形变影响蒸镀效果的问题,实现了防止掩膜版因其自身重力作用而发生形变的不良现象产生,避免了掩膜版的受损以及PS柱的擦伤的目的。 | ||
搜索关键词: | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种蒸镀装置,其特征在于,包括:海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域;所述海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进,使得所述海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场;所述掩膜版设置区域设置于所述海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内;所述海尔贝克磁铁阵列包含至少一个磁化单元;每一个所述磁化单元所对应的所述海尔贝克磁铁阵列部分的磁化方向沿顺时针或逆时针方向连续旋进360度,每一个所述磁化单元的磁化方向以恒定旋转角频率ω旋进,所述恒定角频率ω满足ω≤300m‑1;所述磁化单元长度T满足下述公式:其中,Br为所述磁化单元的剩余磁化强度,ρ是掩膜版的密度,g为重力加速度,μ0为真空磁导率,χm是掩膜版的磁化系数;所述磁化单元的厚度L满足下述公式:其中,ω为所述磁化方向旋转角频率,其满足ω=2π/T。
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