[发明专利]一种用于负压应用的新型高稳定隔离开关电路有效
| 申请号： | 201611203918.1 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106803755B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 邓翔 | 申请（专利权）人： | 长沙景美集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/689 | 分类号： | H03K17/689 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于负压应用的新型高稳定隔离开关电路，当开关电路两端存在负电压时，对于普通MOS管开关，如果衬底固定接在其源端或者漏端，在开关两端电压大小变化时，极有可能会使得原本断开的MOS管两端导通或者形成导通二极管，恶化开关的隔离性能。本发明针对这种情况发明了一种应用于负压应用的新型高稳定隔离开关电路，开关电路可以保证开关在断开的时候，不管开关电路两端的电压如何变化，开关都不会导通，开关电路能稳定隔离，同时开关电路在闭合时也能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 应用 新型 稳定 隔离 开关电路 | ||
【主权项】：
一种用于负压应用的新型高稳定隔离开关电路，其特征在于：开关电路由第一NMOS管(M1)、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）、第四NMOS管（M4）和第一PMOS管（M5）组成；第一NMOS管（M1)的栅极连接到第四NMOS管（M4)和第一PMOS管（M5）的漏极，第一NMOS管（M1)的漏极连接M3的漏极和第一NMOS管（M1）的栅极，第一NMOS管（M1）的源极连接第一NMOS管（M1）的漏极和M3的栅极，第一NMOS管（M1）的衬底连接第一NMOS管（M1）、M3和第四NMOS管（M4）的衬底和源极，第一PMOS管（M5）的源极和衬底连接电源，第一PMOS管（M5）的栅极连接第四NMOS管（M4）的栅极并由逻辑控制开关的输入输出为第一NMOS管（M1）的源极和漏极。
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