[发明专利]一种电流可精准校正网络

摘要

本发明公开了一种电流可精准校正网络，所述电流可精准校正网络与参考电流产生电路、电流镜一起构成电流源电路。电流源电路先通过电流生产电路获得电流，然后通过电流镜像输出到电流大小校正网络，经过电流大小可精准校正网络后输出高精度的电流，最后便可将电流镜像到各个需要使用参考电流的模块。本发明所述的电流可精准校正网络，可实现参考电流范围的调节，电流精度可调节，同时具有实现面积小，集成度高的特点。

主权项

1.一种电流可精准校正网络，其特征在于包括电流产生电路、电流镜1、电流镜2和电流校正网络四个部分；其中所述电流产生电路，其特征包括一个运算放大器OP、一个PMOS管M11、一个电阻R11；所述运算放大器OP的反相输入端（‑）接参考电压，输出接PMOS管M11的栅极，PMOS管M11的源极连接到电源，漏极连接到电阻R11的一端口，并与运算放大器的同相输入端（+）连接到一起，电阻R11的另一端口接地；其中所述的电流校正网络包括n+1个P型MOS晶体管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1)，n个P型MOS晶体管M311、M321、M331……M3n1，n个P型MOS晶体管M312、M322、M332……M3n2，一个N型MOS晶体管M30，n个一二选开关S31、S31……S3n；其中n+1个P型MOS晶体管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1)的栅极接地，M31漏极与M32的源极相连接，M32漏极与M33的源极相连接……起始的M31的源极与电流镜1中P型MOS晶体管M21的漏极相连，最后的P型MOS晶体管M3(n+1)的漏极接地；n个P型MOS晶体管M311、M321、M331……M3n1和n个P型MOS晶体管M312、M322、M332……M3n2的栅极接地，M311的源极与M31的源极相连，M311的漏极与M312的源极相连，M312的漏极与二选一开关S31动端连接，M321的源极与M32的源极相连，M321的漏极与M322的源极相连，M322的漏极与二选一开关S32动端连接……M3n1的源极与M3n的源极相连，M3n1的漏极与M3n2的源极相连，M3n2的漏极与二选一开关S3n动端连接；二选一开关S31、S31……S3n的两个固定端一个接地，另一个固定端与N型MOS晶体管M30漏极和栅极以及电流镜2中NMOS管M41、 M42……M4K的栅极相连接，N型MOS晶体管M30源极接地；其中所述的电流镜1，其PMOS管M21的栅极与误差放大器的输出端、PMOS管M21的栅极连接，PMOS管M21的源极与电源相接，PMOS管M21的漏极与电流校正网络连接；其中所述的电流镜2，其NMOS管M41、M42……M4K的栅极与NMOS管M3栅极相连，NMOS管M41、M42……M4K的源极接地，NMOS管M41、M42……M4K的漏极提供电流到各个需要使用电流的模块。