[发明专利]制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法及由其制备的阻隔膜有效
| 申请号： | 201611204009.X | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107919405B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李芝容;朴正雨;金显栽 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;周玉梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法及由其制备的阻隔膜。具体地，本发明提供制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法，其包括：a)通过沉积在衬底上形成氧化物薄膜；以及b)在约50至500℃的温度和约10至50atm的压力下使用N |
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| 搜索关键词： | 制备 具有 改进 抗湿性 阻隔 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有改进的抗湿性的阻隔膜的方法，其包括：a)通过沉积在衬底上形成氧化物薄膜；以及b)在约50至500℃的温度和约10至50atm的压力下使用N2、O2或其混合气体来高压热处理氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
