[发明专利]闪存结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种闪存结构及其制作方法，一基底中定义有有源区，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区相互垂直分布；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述第二有源区平行的两侧，且覆盖部分所述第一有源区；以所述栅极结构为掩膜，对所述基底执行离子注入工艺，在所述栅极结构的一侧且在所述有源区中形成源极。通过该制作方法形成闪存结构中的源极，可以减少一道光罩工艺，而且，还可以避免因该光罩工艺对栅极结构造成的不良影响。因此，本发明通过上述制作方法形成的闪存结构可以提高其性能，降低生产成本，提高竞争力。

主权项

1.一种闪存结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供一基底，所述基底中定义有有源区，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区相互垂直分布；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述第二有源区平行的两侧，且覆盖部分所述第一有源区；以所述栅极结构为掩膜，对所述基底执行离子注入工艺，在所述栅极结构的一侧且位于所述有源区中形成源极；在对所述基底执行离子注入工艺时，还包括在所述栅极结构的另一侧且在所述第一有源区中形成漏极。