[发明专利]一种IGBT驱动电路

摘要

一种IGBT驱动电路，属于电子电路技术领域。在关断阶段采用变斜率驱动，通过电阻R和第五反向器INV5的特殊尺寸设计将关断过程分为两个阶段，T2至T3阶段仅有第一NMOS管MN1导通，电路处于慢放电状态，有利于改善过冲电压，解决了关断期间产生的浪涌电压问题；T3至T4阶段，经过由电阻R和第五反向器INV5设计的延时之后第二NMOS管MN2导通，电路进入快放电状态，加速整个IGBT的关断过程，降低开关损耗，另外加大了放电电流，使得拖尾时间大幅减少；本发明不需要额外的RC无源吸收网络，避免了传统RC吸收回路所造成的阻尼损耗；由于保证了关断过程的驱动电路的下拉能力，且后边阶段的电阻值较低，使得电路能够抗更高的dv/dt，改善了整体电路的电磁干扰特性。

主权项

1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第四反相器(INV4)、第五反相器(INV5)、第六反相器(INV6)、第七反相器(INV7)、第八反相器(INV8)、PMOS管(MP1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、电阻(R)和两输入或非门(NOR2_1)，第一反相器(INV1)的输入端接输入信号(IN)，其输出端接第二反相器(INV2)的输入端和两输入或非门(NOR2_1)的第一输入端；第三反相器(INV3)的输入端接第二反相器(INV2)的输出端，其输出端接第四反相器(INV4)的输入端；PMOS管(MP1)和第一NMOS管(MN1)的栅极接第四反相器(INV4)的输出端，其漏极互连并作为驱动电路的输出端输出信号(OUT)，PMOS管(MP1)的源极接外部电源电压(VDD)，第一NMOS管(MN1)的源极接地(VSS)；电阻(R)的一端接驱动电路的输出端，另一端第五反相器(INV5)的输入端；第六反相器(INV6)输入端接第五反相器(INV5)的输出端，其输出端接两输入或非门(NOR2_1)的第二输入端；第七反相器(INV7)的输入端接两输入或非门(NOR2_1)的输出端，其输出端接第八反相器(INV8)的输入端；第二NMOS管(MN2)的栅极接第八反相器(INV8)的输出端，其漏极接驱动电路的输出端，其源极接地(VSS)。