[发明专利]一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法有效
| 申请号： | 201611205957.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106785901B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;杨奇;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 王卫东 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法，该硅基可调谐激光器包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，第一、第二取样光栅间隔连接；耦合器将半导体光放大器输出的光场传输至TE0模波导，得到TE0模的光场；模式变换器将TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；第一、第二取样光栅将新模式的光场反射回半导体光放大器。本发明不需要采用更精密的加工手段，大大降低了工艺成本，而且工艺稳定性更高，同时，第一、第二取样光栅在同一条波导上，可省去光分路器，降低复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 模式 变换器 硅基可 调谐 激光器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器，其特征在于，包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在所述SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，所述第一、第二取样光栅间隔连接；所述耦合器将所述半导体光放大器输出的光场传输至所述TE0模波导，得到TE0模的光场；所述模式变换器将所述TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；所述第一、第二取样光栅将所述新模式的光场反射回所述半导体光放大器。
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