[发明专利]全湿法腐蚀形成器件结构的方法有效

专利信息
申请号: 201611206291.5 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN106629581B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 许开东 申请(专利权)人: 江苏鲁汶仪器有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01J5/02
代理公司: 北京得信知识产权代理有限公司 11511 代理人: 孟海娟
地址: 221300 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上键合石英玻璃,并对所述石英玻璃进行减薄;在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层;在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层;形成光刻胶并进行光刻图形化;以所述图形化后的光刻胶为掩膜,采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀;湿法去除光刻胶;以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜,采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀,其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水,并且pH值介于6~8之间。本发明优化了工艺流程步骤,有效降低了生产成本。
搜索关键词: 湿法 腐蚀 形成 器件 结构 方法
【主权项】:
一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:在半导体衬底上键合石英玻璃,并对所述石英玻璃进行减薄;在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层;在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层;形成光刻胶并进行光刻图形化;以所述图形化后的光刻胶为掩膜,采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀;利用湿法去除光刻胶;以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜,采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀。
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