[发明专利]一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201611206295.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108242395B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 徐小科;李效民;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1‑x)Pb(Mg | ||
| 搜索关键词： | 铌镁钛酸铅 衬底 薄膜 氮化镓 沉积 激光频率 外延生长 取向 氮化镓薄膜 激光能量 氧气气压 原位退火 缓冲层 靶材 制备 分段 氧气 陶瓷 复合 填补 | ||
【主权项】：
1.一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，其特征在于，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1-x)Pb(Mg
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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