[发明专利]一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611206399.4 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784369A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李乐;向超宇;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其中，所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。本发明将传统层状结构的QLED器件改变为阵列结构的QLED器件，所述阵列结构QLED器件能够将发光面细分为点阵发光，既可减少器件发热量，同时还可以更好的隔绝水分子及其它有害气体对QLED器件各个功能层的损害，从而达到延长QLED器件寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 结构 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列结构量子点发光二极管器件，从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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