[发明专利]一种p型氧化亚锡薄膜材料以及钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611206914.9 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN106531635B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 孙剑;白雪;陈泽群 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L21/477
代理公司: 武汉华旭知识产权事务所 42214 代理人: 刘天钰
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法,将乙二醇甲醚、二水合氯化亚锡、乙醇胺混合并搅拌至澄清,移至真空管式炉中抽真空并充入氩气加热,陈化,制得溶胶;在基片上滴加溶胶,旋凃甩胶,制得p型氧化亚锡薄膜试样;将薄膜试样移至真空管式炉中,抽真空并通入氩气,对薄膜试样进行加热干燥,干燥结束后冷却;最后在真空管式炉内形成乙二醇气氛,升温至退火温度保温,退火后冷却,即制得所述p型氧化亚锡薄膜试样。本发明同时还提供了一种钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法。本发明的制备方法成本低,制备出的材料性能好,并且制备过程中无需苛刻的真空条件,在p型透明导电氧化物薄膜领域具有重要的研究价值和市场价值。
搜索关键词: 一种 氧化 薄膜 材料 以及 掺杂 制备 方法
【主权项】:
1.一种钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将乙二醇甲醚、二水合氯化亚锡、氯化钾、乙醇胺按照9.5~11.5:0.15~0.25:0.005~0.007:0.9~1.1的摩尔比混合并搅拌至澄清,移至真空管式炉中抽真空并充入氩气,在40~80℃条件下加热150~210min,加热完毕后继续在氩气气氛中陈化50~100h,制得溶胶;(2)、将基片固定在匀胶机上,并在基片上滴加1~5滴上述溶胶,先以800~1200转/分钟的速度旋转10~20秒,再以2300~2700转/分钟的速度旋凃甩胶,旋转时间为20~40秒,制得钾掺杂p型氧化亚锡薄膜试样;(3)将薄膜试样移至真空管式炉中,抽真空并通入氩气,然后对薄膜试样进行加热干燥,干燥温度为100~200℃,干燥结束后自然冷却;(4)最后在真空管式炉内形成乙二醇气氛,升温至退火温度600℃以上保温,退火完成后自然冷却,即制得所述钾掺杂p型氧化亚锡薄膜试样。
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