[发明专利]一种p型氧化亚锡薄膜材料以及钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201611206914.9 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106531635B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 孙剑;白雪;陈泽群 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(武汉) |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L21/477 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 42214 | 代理人: | 刘天钰 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法,将乙二醇甲醚、二水合氯化亚锡、乙醇胺混合并搅拌至澄清,移至真空管式炉中抽真空并充入氩气加热,陈化,制得溶胶;在基片上滴加溶胶,旋凃甩胶,制得p型氧化亚锡薄膜试样;将薄膜试样移至真空管式炉中,抽真空并通入氩气,对薄膜试样进行加热干燥,干燥结束后冷却;最后在真空管式炉内形成乙二醇气氛,升温至退火温度保温,退火后冷却,即制得所述p型氧化亚锡薄膜试样。本发明同时还提供了一种钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法。本发明的制备方法成本低,制备出的材料性能好,并且制备过程中无需苛刻的真空条件,在p型透明导电氧化物薄膜领域具有重要的研究价值和市场价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 材料 以及 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将乙二醇甲醚、二水合氯化亚锡、氯化钾、乙醇胺按照9.5~11.5:0.15~0.25:0.005~0.007:0.9~1.1的摩尔比混合并搅拌至澄清,移至真空管式炉中抽真空并充入氩气,在40~80℃条件下加热150~210min,加热完毕后继续在氩气气氛中陈化50~100h,制得溶胶;(2)、将基片固定在匀胶机上,并在基片上滴加1~5滴上述溶胶,先以800~1200转/分钟的速度旋转10~20秒,再以2300~2700转/分钟的速度旋凃甩胶,旋转时间为20~40秒,制得钾掺杂p型氧化亚锡薄膜试样;(3)将薄膜试样移至真空管式炉中,抽真空并通入氩气,然后对薄膜试样进行加热干燥,干燥温度为100~200℃,干燥结束后自然冷却;(4)最后在真空管式炉内形成乙二醇气氛,升温至退火温度600℃以上保温,退火完成后自然冷却,即制得所述钾掺杂p型氧化亚锡薄膜试样。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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