[发明专利]具有嵌入式单轴传感器的多层导管轴构造及相关方法有效

专利信息
申请号: 201611206993.3 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN106913327B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: D.E.希格史密斯;M.巴-塔;A.加西亚 申请(专利权)人: 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司
主分类号: A61B5/318 分类号: A61B5/318;A61B5/361;A61B18/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 傅永霄
地址: 以色列*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“具有嵌入式单轴传感器的多层导管轴构造及相关方法”。本发明公开了一种导管,其具有改进的位置和/或定位感测,其使用沿着一定长度或一部分其位置/定位受关注的所述导管直接安装的单轴传感器。所述磁性的单轴传感器设置在单轴传感器组件上,根据需要,其可为线性或非线性的。本发明的导管包括通过支撑构件提供的具体2D或3D构造的导管主体和远端构件,在支撑构件上具有沿着支撑构件的长度串联安装的至少一个或者至少三个单轴传感器。基于磁的传感器组件包括包裹在所述支撑构件上的至少一个线圈构件,其中所述线圈构件经接头区域连接到对应线缆构件,所述线缆构件适于将提供位置信息的信号从所述线圈构件发送到标测和定位系统。
搜索关键词: 具有 嵌入式 传感器 多层 导管 构造 相关 方法
【主权项】:
暂无信息
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