[发明专利]一种高产西瓜的反季节栽培技术与方法在审

专利信息
申请号: 201611207169.X 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN106386159A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 江文林;沈成山;陈旭锐;江涛 申请(专利权)人: 滁州绿泉生态农业有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 239200 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高产西瓜的反季节栽培技术与方法,该高产西瓜的反季节栽培技术与方法具体步骤如下S1温室大棚的选择,S2大棚中土壤的翻耕处理,S3大棚中土壤的消毒处理,S4西瓜种苗培育,S5西瓜种苗的移栽,S6移栽后的拱棚建设,S7冲肥处理,S8拱棚的去除。本发明采用育苗移栽的方式来进行,使得西瓜种苗在初期的培育中可以更好的培育生长,使得种苗健康状况更好,同时采用大棚配合内拱棚的方式可以更好的保温,使得西瓜可以更加好的进行反季节培育。
搜索关键词: 一种 高产 西瓜 季节 栽培技术 方法
【主权项】:
一种高产西瓜的反季节栽培技术与方法,其特征在于:该高产西瓜的反季节栽培技术与方法具体步骤如下:S1:温室大棚的选择,选择保温效果好的温室大棚,温室大棚室内温度可以控制在20‑30℃之间,同时温室大棚中具有加热辅助装置,可以有效保障温度控制;S2:大棚中土壤的翻耕处理,对大棚中土壤进行阳光暴晒处理,在上一批次种植结束后对大棚进行清理,将残留的植物茎叶去除,避免植物茎叶残留在大棚中腐烂造成细菌滋生,进行阳光暴晒时需要对温室大棚进行通风处理,保障温室大棚中的空气流通,阳光暴晒天数为10‑20天,土壤暴晒后对土壤进行翻耕处理,翻耕深度为15‑25厘米;S3:大棚中土壤的消毒处理,采用50%多茵灵可湿性粉剂喷洒,每亩地用量为3公斤,对大棚中的土壤进行成陇处理,每陇的高度为20厘米,且每陇之间的间距为60‑100厘米;S4:西瓜种苗培育:对西瓜种子在浓度40‑50%多菌灵溶液中进行25‑30分钟的浸泡,然后取出在流动清水下进行冲洗,将多菌灵溶液残留洗去,然后在温水中对种子进行浸泡处理;将浸泡后的种子在育苗箱中进行育苗处理,育苗箱中的温度控制在20‑25℃,同时需要每天进行3‑5次的喷洒水雾处理;西瓜种苗的成苗,在育苗箱中育苗到西瓜苗具有3‑5真叶的大苗即可完成种苗的培育;S5:西瓜种苗的移栽,将育苗箱中培育好的大苗移栽到温室大棚中,种苗移栽到每陇土壤中,种苗栽培时的间距控制在30‑40厘米;S6:移栽后的拱棚建设,移栽种苗后对种苗外进行拱棚建设,拱棚的最高点高度为60‑80厘米,同时拱棚内设有自动喷灌装置,移栽后对西瓜苗进行喷水灌溉,每天2‑3次的灌溉,S7:冲肥处理,在移栽后需要进行每月两次的冲肥处理,采用每亩地30‑40公斤尿素和20‑30公斤硫酸钾的用量来冲肥,将肥料溶解后利用自动喷灌装置进行喷灌;S8:拱棚的去除,等到西瓜苗培育到开花期时即可将拱棚去除,进行人工辅助授粉,继续培育直至西瓜成果即可出棚。
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