[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201611207336.0 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106997859B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 山本哲夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;刘伟志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供衬底处理装置和半导体器件的制造方法,在利用喷头对衬底供给气体时能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。衬底处理装置具备:具有衬底处理室的处理模块;设于处理模块的衬底搬入搬出口;配置在衬底搬入搬出口附近的冷却机构;具有衬底载置面的衬底载置部;加热衬底的加热部;具有由第一热膨胀率材质构成的分散板的喷头;由具有与第一热膨胀率不同的第二热膨胀率的材质构成且支承分散板的分散板支承部;在衬底搬入搬出口的设置侧进行分散板与其支承部的定位的第一定位部;在衬底搬入搬出口的设置侧的相对侧进行分散板与分散板支承部的定位的第二定位部,第一和第二定位部沿着从衬底搬入搬出口通过的衬底的搬入搬出方向排列配置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,具备:处理模块,具有对衬底进行处理的处理室;衬底搬入搬出口,设于构成所述处理模块的一个壁上;冷却机构,配置在所述衬底搬入搬出口的附近;衬底载置部,配置在所述处理室内,具有供所述衬底载置的衬底载置面;加热部,对所述衬底进行加热;喷头,配置在与所述衬底载置面相对的位置,具有分散板,该分散板由具有第一热膨胀率的材质构成;分散板支承部,支承所述分散板,由具有与所述第一热膨胀率不同的第二热膨胀率的材质构成;第一定位部,进行所述分散板与所述分散板支承部之间的定位,配置在所述衬底搬入搬出口的设置侧;第二定位部,进行所述分散板与所述分散板支承部之间的定位,配置在与所述衬底搬入搬出口的设置侧隔着处理室的相对侧,并且配置在与所述第一定位部沿着从所述衬底搬入搬出口通过的衬底的搬入搬出方向排列的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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