[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201611208573.9 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108238581A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有分立的主电极层；在主电极层上形成支撑柱；在所述支撑柱表面和主电极层表面形成第一导电层；在所述第一导电层和衬底上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出支撑柱顶部表面的第一导电层；在牺牲层和第一导电层上形成第二导电膜，第二导电膜和第一导电层电学连接。所述方法能够提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电层 半导体器件 主电极层 牺牲层 导电膜 衬底 支撑柱表面 支撑柱顶部 表面形成 衬底表面 电学连接 电学性能 支撑柱 分立 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有分立的主电极层；在主电极层上形成支撑柱；在所述支撑柱表面和主电极层表面形成第一导电层；在所述第一导电层和衬底上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出支撑柱顶部表面的第一导电层；在牺牲层和第一导电层上形成第二导电膜，第二导电膜和第一导电层电学连接。
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