[发明专利]一种柔性阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611209270.9 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106449973B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;周振宇;赵建辉;王宏 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/04 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白利霞;苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性阻变存储器，其结构从下到上依次为：云母柔性衬底、InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。还公开该阻变存储器的制备方法：以一定厚度的云母材料作为柔性衬底，通过磁控溅射的方法在柔性衬底上依次形成InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。本发明提供的柔性阻变存储器具有结构简单、衬底新颖独特、体积小、易弯曲、读写快、耐高温、耐腐蚀、抗弯曲性强等良好性能，是一种存储性能稳定、成本低、密度高、操作速度快、功耗低、抗疲劳性强、应用前景广阔的柔性阻变存储器，适于在各种电子设备中推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性阻变存储器，其特征在于，其结构从下到上依次为：云母柔性衬底、InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层；所述ZrHfO介质膜层的厚度为3~8nm；所述InGaZnO底电极膜层的厚度为60~190nm；所述TiN顶电极膜层的厚度为40nm~150nm；所述云母柔性衬底的厚度为0.01~0.04mm。
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