[发明专利]电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件有效
| 申请号： | 201611213900.X | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106531884B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王开友;杨美音;蔡凯明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，导致自旋轨道耦合层产生自旋流。位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层发生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 控制 随机 存储 单元 存储器 及其 构成 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电压控制磁随机存储单元，其特征在于包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转，所述铁电层为铁电材料薄膜；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流；位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性的随机翻转，联合铁电层施加的第一电压，该自旋流可使第一磁层发生定向翻转；铁电层的电极，所述电极方向沿着铁电层的[110]晶向，以在两电极间施加有第一电压。
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