[发明专利]具有核-壳结构的Ga掺杂的InP量子点及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有核‑壳结构的Ga掺杂的InP量子点及其制备方法。该量子点包括InP纳米晶核、Ga掺杂的InGaP纳米晶中间层以及壳层，Ga掺杂的InGaP纳米晶中间层的组成为InxGayP，壳层为ZnSezS1‑z，其中，1≤x/y≤9，0≤z≤1。该量子点的荧光发射波长在610‑780nm内连续可调，且粒径均匀，其发射峰半峰宽较同波长的单纯InP量子点的明显要小。本发明以PH3为磷源，通过在纳米晶核和壳层之间形成Ga掺杂的InGaP纳米晶中间层，缓解了InP量子点因晶格错配带来的缺陷，具有成本低、环保、操作简单的特点，可广泛应用于照明、显示等领域。

主权项

1.一种具有核‑壳结构的Ga掺杂的InP量子点，其特征在于，包括InP纳米晶核、Ga掺杂的InGaP纳米晶中间层以及壳层；所述Ga掺杂的InGaP纳米晶中间层的组成为InxGayP，所述壳层为ZnSezS1‑z，其中，1≤x/y≤9，0≤z≤1。