[发明专利]阵列基板制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板制造方法，包括在基板上依次形成绝缘层、半导体基础层、欧姆接触基础层及第二金属层；在所述第二金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层，形成第一光阻区域和第二光阻区域；根据图案化的光阻层对半导体基础层及欧姆接触基础层进行第一次半干蚀刻；对图案化的光阻层进行第一次灰化处理，根据第一次灰化处理后的第一光阻区域对第一次半干蚀刻后的半导体基础层及欧姆接触基础层进行第二次半干蚀刻；第二次灰化光阻层的第一光阻区域以露出部分所述半导体层及欧姆接触基础层；对所述图案化的第二金属层及欧姆接触基础层通过两次蚀刻形成数据线及漏极线以及欧姆接触层。

主权项

一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括，在基板上依次形成绝缘层、半导体基础层、欧姆接触基础层及第二金属层；在所述第二金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层，形成第一光阻区域和位于所述第一光阻区域两侧的第二光阻区域；其中，第二光阻区域的厚度薄于第一光阻区域的厚度；形成被所述光阻层的第一光阻区域覆盖的图案化的第二金属层；根据图案化的光阻层对所述半导体基础层及欧姆接触基础层进行第一次半干蚀刻；去除所述半导体基础层及欧姆接触基础层露出所述图案化光阻层的部分；对图案化的光阻层进行第一次灰化处理，去除所述第二光阻区域，以使所述灰化后光阻层第一光阻区域两侧与所述图案化的第二金属层两侧平齐，使第一次半干蚀刻后的半导体基础层及欧姆接触基础层露出所述第一光阻区域两侧；根据第一次灰化处理后的第一光阻区域对第一次半干蚀刻后的半导体基础层及欧姆接触基础层进行第二次半干蚀刻，形成半导体层并去除所述欧姆接触基础层露出第一光阻区域的部分；第二次灰化所述光阻层的第一光阻区域，去除部份第一光阻区域以露出部分所述半导体层及欧姆接触基础层；对所述图案化的第二金属层及欧姆接触基础层通过两次蚀刻形成数据线及漏极线以及欧姆接触层；去除第二次灰化后的第一光阻区域。